英特尔Foveros不是新芯片的名称，而是一种技术，可以让芯片制造商捆绑各种垂直芯片组件，从而提高设备的速度，而无需等待新的芯片制造工艺成熟，如10nm芯片一直在推迟。
换句话说，通过Foveros，英特尔将能够将各种芯片叠加在一起，包括CPU，内存和其他芯片，而无需担心各自的底层制造技术。
如果这种“封装上封装”（PoP）技术听起来很熟悉，那是因为我们已经在当前的智能手机中使用了PoP芯片设计。然而，英特尔不只是将PoP从移动设备改为PC。在手机和平板电脑上，PoP设计将内存与处理器结合在一起，将两者连接成数百个连接。与此同时，Frsos 3D芯片将使用蚀刻硅来改善互连的数量，从而提高速度。

　　
Foveros技术已经开发了近二十年。 “近20年来，我们一直致力于这种封装技术，”英特尔芯片架构主管Raja Koduri告诉路透社。 “在逻辑上堆叠逻辑时需要解决一些真正的物理问题。”
Foveros 3D堆叠不是制造包含CPU和其他组件的完整10nm芯片，而是让英特尔混合搭配各种芯片组件。 Ars表示，英特尔可以将10纳米高性能CPU内核与USB，Wi-Fi，以太网和PCIe组件结合使用，这些组件可以采用低功耗14纳米或22纳米工艺制造。
英特尔将在未来的设计中将这些不同的“小芯片”叠加在一起。 I / O和功率输出等低功耗组件将位于基础芯片上，而高性能逻辑则将堆叠在顶部。
首批此类芯片将于2019年下半年推出。首批产品将包装10nm计算逻辑，Intel 22FFL（FinFET低功耗）工艺基础芯片和PoP存储器。 10nm芯片将包括一个全新的Sunny Cove高功率内核，以及四个可处理轻负载的Atom内核。如果这种架构听起来很熟悉，那就是因为它是你在移动设备上的ARM处理器中看到的。由此产生的处理器尺寸为12 x 12 x 1mm，需要2mW的待机功率，目标是超移动设备。

　　
目前还不清楚哪些设备将使用新的英特尔芯片和架构。但Intel今后Intel的所有产品，包括从移动设备到数据中心的设备都将随着时间的推移而采用Foveros处理器。
英特尔还推出了一款全新的Gen11集成显卡，旨在打破1TFLOPS屏障。新的GPU将成为新的2019年10nm处理器的一部分。与AMD正在采用与其新的Zen 2处理器类似的方法。 CPU逻辑基于7nm工艺，PCIe，DDR，USB和SATA放置在14nm I / O芯片上。
与此同时，高通公司最近宣布推出专为Windows 10设备设计的全新ARM平台：全新的7nm Snapdragon 8cx将直接与英特尔现有的部分芯片竞争，包括Foveros 3D。

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